近日、Samsungはアメリカ・カリフォルニアで開催された「未来ストレージとメモリ会議」（FMS 2026）に参加しました。会議では、同社は最新のAIメモリ製品群と技術ロードマップを発表し、zHBMおよびzNAND-Oのコンセプトモデルのプレビューを含む約30項目のメモリとストレージ技術を展示しました。
Samsungが次世代AIメモリ技術を発表し、高性能ニーズに応える
ストレージアーキテクチャにおいて、SamsungはzHBMを発表しました。この技術は、HBMをAIアクセラレーターの真上に垂直にスタックするという画期的なデザインを採用しており、従来の並列配置とは異なります。このデザインは、AIプロセッサとメモリ間のデータ転送距離を最小化することで、より高い帯域幅と優れたエネルギー効率を提供し、大規模なAIトレーニングと推論に必要な超高速データ処理ニーズを満たすことを目的としています。
さらに、zHBMに基づく新世代インターフェースのシステム性能は、HBM5の8倍に達し、エネルギー効率は最大3倍向上し、熱抵抗は半分以上低下します。これらの改善は、高性能AIシステムの運用安定性を向上させるのに寄与します。同時に、新製品は顧客のカスタマイズ設計をサポートし、メモリ容量を拡張し、アクセラレーターの性能を向上させます。
ストレージソリューションにおいて、SamsungはzNAND-Oを同時に発表しました。これはエンドサイドAIアプリケーション向けの高性能NANDフラッシュストレージソリューションです。この製品はTSVスタッキング技術を用いて4層および8層のスタッキングを実現し、高いスペース利用率、強化されたI/O性能、低遅延特性を備え、リアルタイムかつデータ集約型のAIアプリケーションをサポートします。
さらに、Samsungは初めてV10 BV-NANDを展示しました。これは400層以上のスタッキング構造を採用しており、ストレージ密度は前世代のV9に比べて約58%向上しています。また、HBM4E、HBM5モデル、LPDDR5X-PIM、企業向けSSD PM1763、BM1773などの製品も公開されました。
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| ストレージ密度向上 | 約 58% |
| スタッキング層数 | 400層以上 |
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