最近、Samsungはアメリカのカリフォルニアで開催された「未来ストレージとメモリ会議」（FMS 2026）に参加しました。この会議で、同社は最新のAIメモリ製品群と技術ロードマップを発表し、zHBMおよびzNAND-Oのコンセプトモデルのプレビューを含む約30件のメモリおよびストレージ技術を展示しました。
Samsung、新世代のAIメモリ技術を発表し高性能ニーズに応える
ストレージアーキテクチャにおいて、SamsungはzHBMを発表しました。この技術は、HBMをAIアクセラレーターの真上に垂直にスタックするという革新的なデザインを採用しており、従来の並列配置とは異なります。このデザインは、AIプロセッサとメモリ間のデータ転送距離を最小限に抑えることで、より高い帯域幅と優れたエネルギー効率を提供し、大規模なAIトレーニングと推論に必要な超高速データ処理ニーズを満たすことを目的としています。
さらに、zHBMに基づく新世代インターフェースのシステム性能はHBM5の8倍に達し、エネルギー効率は最大3倍向上し、熱抵抗は半分以上低下します。これらの改善は、高性能AIシステムの運用安定性を向上させるのに寄与します。同時に、新製品は顧客のカスタム設計をサポートし、メモリ容量を拡張し、アクセラレーターの性能を向上させることができます。
ストレージソリューションにおいて、SamsungはzNAND-Oを同時に発表しました。これは、エッジAIアプリケーション向けの高性能NANDフラッシュストレージソリューションです。この製品は、TSVスタッキング技術を利用して4層および8層のスタッキングを実現し、高い空間利用率、強化されたI/O性能、低遅延特性を備えており、リアルタイムかつデータ集約型のAIアプリケーションをサポートします。
さらに、Samsungは初めてV10 BV-NANDを展示しました。これは400層以上のスタッキング構造を採用しており、前世代のV9に比べてストレージ密度が約58%向上しています。加えて、HBM4E、HBM5モデル、LPDDR5X-PIM、企業向けSSD PM1763、BM1773などの製品も公開されました。
項目 規格 ストレージ密度向上 約 58% スタッキング層数 400層以上