Navitas SemiconductorとMagnachip Semiconductor Corporationは、シリコンカーバイド（SiC）技術の高圧（HV）および超高圧（UHV）電力市場への採用を加速するための戦略的提携を発表しました。プレスリリースによると、MagnachipはNavitasのGeneSiCトレンチアシストプラナー（TAP）技術をライセンスし、HVおよびUHV SiC市場に参入します。
このライセンスには、1200 V、2300 V、3300 Vおよびそれ以上の電圧のGeneSiC技術が含まれ、MagnachipはNavitasの成熟したSiCデバイスプラットフォームに基づいて次世代の電力変換アプリケーションを開発することができます。NavitasはMagnachipにSiCサプライチェーンおよび材料へのアクセスを提供し、市場への迅速な参入を支援します。両社は、Magnachipの韓国にある製造施設内で技術の移植、検証および内部化を行う計画です。
このアプローチは、MagnachipがSiC市場に迅速に参入することを期待されており、同時にNavitasが確立した技術と材料の基盤との連続性を維持します。
プレスリリースによると、ライセンスされた技術は、エネルギーおよび電力網インフラ、エネルギー貯蔵、産業電気化、自動車およびその他の高出力システムを含む次世代アプリケーションをサポートすることが期待されています。SiC技術は電気自動車、再生可能エネルギー、人工知能データセンターおよび航空宇宙に直接影響を与えますが、両社間の合意の範囲はこれにとどまりません。
NavitasとMagnachipの協力がSiC技術の広範な応用を推進
Navitas Semiconductor Corporationは次世代の窒化ガリウム（GaN）およびGeneSiCシリコンカーバイド（SiC）電力半導体の業界リーダーであり、アナログおよび混合信号電力半導体プラットフォームソリューションを設計・製造するMagnachip Semiconductor Corporationと提携しています。両社はプレスリリースで、パートナーシップの具体的な範囲は「後日詳細に説明し公表する予定」と述べています。
Navitasの社長兼CEOであるChris Allexandreは、「Magnachipとのこの戦略的パートナーシップは、高圧および超高圧電力市場におけるGeneSiCの採用を拡大するという私たちの長期的なビジョンを反映しています。私たちの成熟したGeneSiC技術をライセンスし、Magnachipが私たちのサプライチェーンと材料エコシステムを活用することを支援することで、私たちは先進的なSiCソリューションをより迅速に拡大する道を作り、両社間のより深い長期的な協力を促進しています。」と述べました。
MagnachipのCEOであるChae Leeは、「この合意は、Magnachipにとって高圧および超高圧SiC分野における重要な新しい市場機会を開くものです。GeneSiC技術の追加は、私たちの既存のMOSFETおよび電力半導体製品群を補完し、Magnachipがより高い効率性、高電圧能力、より信頼性の高い電力変換ソリューションを求める顧客のニーズに応えることを可能にします。」と述べました。
Navitas Semiconductorは、次世代電力半導体のリーダーであり、特に窒化ガリウム（GaN）および高圧シリコンカーバイド（SiC）技術において、人工知能データセンター、高性能計算、エネルギーおよび電力網インフラ、産業電気化の革新を推進しています。Magnachip Semiconductor Corporationは、工業、自動車、通信、消費および計算などのさまざまなアプリケーションに適したアナログおよび混合信号電力半導体プラットフォームソリューションを設計・製造しています。
このパートナーシップは、高圧および超高圧シリコンカーバイド技術の採用を加速することを目的としています。GeneSiC技術をライセンスし、NavitasのSiCサプライチェーンおよび材料エコシステムにアクセスし、Magnachipの韓国製施設で技術検証を行う計画を通じて、両社は複数の高出力市場を対象とした次世代電力変換アプリケーションをサポートすることを期待しています。
両社は、ライセンスされた技術が次世代アプリケーションをサポートすることを期待しており、エネルギーおよび電力網インフラ、エネルギー貯蔵、産業電気化、自動車およびその他の高出力システムを含みます。