Samsungは「Semicon Taiwan 2026」大会で「CUBE」と名付けられた次世代ストレージ技術戦略を発表し、三次元垂直スタッキング技術を通じて従来のメモリアーキテクチャの制約を突破し、ストレージ容量、帯域幅、エネルギー効率をさらに向上させ、人工知能時代のデータ処理ニーズに対応することを計画しています。
Samsung CUBE 戦略の四つの核心方向
大会の基調講演で、Samsungは「CUBE」戦略の技術ロードマップを詳しく紹介しました。CUBEはそれぞれ容量（Capacity）、利用率（Utilization）、帯域幅（Bandwidth）、およびエネルギー効率（Efficiency）を表し、Samsungはこの四つの次元を通じてストレージ技術の進化を推進することを期待しています。同社は、三次元スタッキングは単にチップを重ねるだけでなく、各層間の機能配分と配置を最適化することが重要であると指摘しています。チップ間の距離を短縮することで高速データチャネルを形成し、帯域幅のパフォーマンスをさらに向上させ、同時に単位消費電力あたりの性能出力を改善します。
Samsungは、関連技術の進展が人工知能アプリケーションの増大する計算ニーズに対応するのに役立つと述べています。
HBMシリーズの継続的な進化でAIサーバーの計算力ニーズに応える
Samsungは現在、高帯域幅メモリ（HBM）分野で三次元パッケージ技術を推進しており、HBM2からHBM4E、HBM5へと進化させ、製品の容量、帯域幅、電源効率、冷却管理能力を段階的に向上させ、人工知能サーバーの増大する計算力ニーズに応えています。HBM5の目標は、HBM4Eに対して性能を2倍、1ワットあたりの性能を20%、熱抵抗を20%低下させることです。さらに、SamsungはNAND技術の開発も同時に進めており、zNAND-OはDRAMよりも10倍のビット密度を提供し、大規模な言語モデルに必要な大容量をサポートし、NANDよりも7倍の読み取り帯域幅と消費電力効率を提供する計画で、2028年からサンプルを提供開始する予定です。
zHBMとzNAND-Oが示す長期技術ロードマップ
より長期的な技術計画に向けて、SamsungはzHBMとzNAND-Oの開発ロードマップも公開しました。zHBMはHBM4Eに対して、性能を8倍、1ワットあたりの性能を3倍、熱抵抗を75%から90%低下させることを目指しており、性能と効率の面で現行の限界を超える革新的な製品と見なされています。zNAND-Oの密度と帯域幅におけるブレークスルーと相まって、Samsungは両者が新しい世代のストレージ技術アーキテクチャを形成し、人工知能のトレーニングと推論のワークロードに対してより効率的な基盤支援を提供することを期待しています。
| 製品 | 対比基準 | 目標向上幅 |
|---|---|---|
| HBM5 | HBM4Eに対して | 性能2倍、1ワットあたりの性能20%、熱抵抗20%低下 |
| zHBM | HBM4Eに対して | 性能8倍、1ワットあたりの性能3倍、熱抵抗75%から90%低下 |
| zNAND-O | DRAMに対して | ビット密度10倍向上 |
| zNAND-O | NANDに対して | 読み取り帯域幅と消費電力効率7倍向上 |
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